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武汉光电国家实验室(筹)招聘博士后启事

发布日期:2008-2-21  访问次数:1941


    武汉光电国家实验室(筹)光电子器件与集成研究部近期因研究项目发展需要,欲招收博士后1~2名,具体研究方向和要求如下:
    研究领域:一维纳米基的光电热材料与器件研究。
    研究内容:
    1. 研制高质量的GaN和ZnO基一维纳米阵列结构,  实现结构、组分、n型和p型掺杂精确控制,研究其光电性能;设计与优化一维纳米结构为基的LED,FET等光电器件,解决均匀性、稳定性、低阈值等关键问题。
    2. 研制高产量形状优化的Ga填充均匀碳管、MgO管或SiO2 管纳米温度计;开展纳米温度计集成器件的制造工艺研究 ,制作温度测控核心元件,研究电阻与温度特性,给出温度测控的最佳解决方案。

    合作老师:高义华教授
    申请时请提供以下材料:
    (1) 教育经历(本科、硕士、博士);
    (2) 博士期间参加的主要科研工作简介;
    (3) 博士论文的主要内容;
    (4) 发表(含录用)论文清单;
    (5) 获奖情况;
    (6) 预计能够进站的时间。
    申请程序:
    指导老师审阅材料——网上报名——通过流动站初审——指导小组面试考核——递交各项材料——流动站审核盖章——武汉光电国家实验室(筹)备案——华中科技大学博管办审核——湖北省博管办审核

    详见http://wnlo.hust.edu.cn/employment/index3.php
    武汉光电国家实验室(筹)博士后进站流程图 
    合作老师:高义华
联系电话:027-87792242-806,15807135274(高义华)E-mail:gaoyihua@mail.hust.edu.cn
87792516(办公室杨海斌)
    
地址: 武汉市华中科技大学珞瑜路1037号
联系方式:邮编:430074 华中科技大学主校区127号信箱 电话:87557463 87792227 87557460
传真:87792225 电邮:wnloifm@mail.hust.edu.cn



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